特許
J-GLOBAL ID:200903049382285306

配線基板の加工方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 金山 聡
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-096378
公開番号(公開出願番号):特開2000-294900
出願日: 1999年04月02日
公開日(公表日): 2000年10月20日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 作業安全性に優れ、大面積の一括加工が可能な上、取扱性、柔軟性やコストの面で優れる配線基板の加工方法を提供する。【解決手段】 アクリル系ドライフィルムレジストの現像液として一般的に使用されるナトリウムやカリウム等のアルカリ金属を含む現像液を用いた際に、ドライフィルム上に吸着するアルカリ金属イオンを、塩酸、硫酸等の無機酸、及び臭酸、クエン酸等の有機酸により洗浄することによりレジスト膜表層から除去し、ドライエッチング時に使用するフッ素系ガス起因のフッ素とアルカリ金属が反応してプラズマ耐性の高いフッ化物塩をドライフィルム上に生成する可能性を無くした結果、エッチング残り等の不良を低減し、歩留まり向上を可能にした。
請求項(抜粋):
絶縁体層上に金属導体層の回路パターンが形成されている配線基板において、該配線基板上に所望のパターン形状のドライフィルムレジスト層を形成する第1の工程と、前記レジスト層の開口部から絶縁体層をプラズマエッチング処理にて除去する第2の工程と、前記レジスト層を剥離除去する第3の工程と、を含む配線基板の加工方法。
IPC (5件):
H05K 3/00 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/36 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42
FI (5件):
H05K 3/00 Z ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/36 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42
Fターム (24件):
2H025AA00 ,  2H025AA20 ,  2H025AB11 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025BC13 ,  2H025BC14 ,  2H025DA20 ,  2H025EA08 ,  2H025FA17 ,  2H025FA28 ,  2H025FA41 ,  2H025FA48 ,  2H096AA25 ,  2H096AA26 ,  2H096BA05 ,  2H096CA16 ,  2H096EA02 ,  2H096GA09 ,  2H096HA23 ,  2H096HA24 ,  2H096LA02

前のページに戻る