特許
J-GLOBAL ID：200903049384125780
窒化物半導体薄膜結晶成長装置、成長方法及び窒化物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-139402
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329981
出願日： 1998年05月21日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 N-H結合を有する化合物をV族の原料として窒化物半導体薄膜を成長する際、少ないTMI供給量で高いIn組成比のInGaN混晶を得る。さらにMgドープ膜成長後、Mg活性化アニールを行わずに高いp型キャリアー濃度を示す窒化物半導体薄膜を得る事を目的とする。【解決手段】 本発明のMOCVD装置は、V族原料を供給する配管に、V族原料を分解する装置と、ここで分解生成される水素を水素吸蔵合金、あるいは水素透過膜で除去する装置を具備する事でInGaN成長雰囲気に含まれる水素を無くなり高混晶InGaNを得る事が出来る。またMgドーパントを不活性化させるV族原料の分解生成水素を除去してMgドープGaN成長する事でMg活性化アニールを不要となる。
請求項（抜粋）：
N-H結合を有する化合物をV族の原料として窒化物半導体薄膜を成長する成長装置において、該V族原料の供給配管にV族原料を分解する手段とV族原料が分解し生成される水素を水素吸蔵合金により吸着する手段と前記水素吸蔵合金を冷却、加熱する手段を備えた事を特徴とする窒化物半導体薄膜結晶成長装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, H01L 33/00 C
