特許

J-GLOBAL ID：200903049385012319

多結晶薄膜の製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 筒 博司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-229224
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068109
出願日： 1997年08月26日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 様々な半導体素子に用いられる多結晶薄膜と、液晶表示素子やセンサーアレイやRAM等に用いられる薄膜トランジスタの性能に優れたものを得ることが可能な製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 バッファー層2の形成されたガラス基板1上に非晶質シリコン3を堆積した後、エキシマレーザビーム等のエネルギービームを照射して結晶化または再結晶化させて多結晶シリコン12aを形成する。次に、フッ酸を含有する溶液を用いて多結晶シリコンの粒界近傍に存在する酸化物や窒化物等の不純物を除去し、その後再度エネルギービームを照射して多結晶シリコンを再結晶化させる。

請求項（抜粋）：

基板上にSiを主成分とする薄膜を堆積する工程と、前記薄膜にエネルギービームを照射して結晶化または再結晶化させて多結晶薄膜を形成する工程と、前記多結晶薄膜の粒界近傍の不純物を除去する工程と、不純物を除去した後前記多結晶薄膜にエネルギービームを照射して前記多結晶薄膜を再結晶化させる工程とを有する多結晶薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  B01J 19/12 ,  C01B 33/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/306

FI (8件)：

H01L 29/78 627 G ,  B01J 19/12 G ,  B01J 19/12 B ,  C01B 33/02 D ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/306 D ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 627 Z