特許
J-GLOBAL ID：200903049385832901
半導体エピタキシャルウェハの発光特性評価方法および発光特性評価用半導体エピタキシャルウェハ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-269921
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120563
出願日： 1992年10月08日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】表面キャリア濃度が低い発光ダイオード用エピタキシャルウェハや、表面混晶比が高いGaAlAsからなるエピタキシャルウェハでもオーミック接触を安定して形成でき、ウェハの発光特性をウェハ状態のままで評価でき、大きな電流領域までも発光特性を評価できるようにする。【構成】p型GaAsエピタキシャル層3表面に不純物添加酸化物型の拡散ソース14を塗布し、所定の熱処理条件のもとでベークする。所望のキャリア濃度と拡散深さが得られる温度条件にて固相-固相拡散を行い拡散層4を形成する。固相-固相拡散を施したエピタキシャルウェハの表面に溝5で囲まれた小領域6を形成して他の領域7と電気的に分離する。小領域6の拡散層4に電気針8を立てて電流を流すプロービング法によりエピタキシャルウェハの発光特性を評価する。
請求項（抜粋）：
半導体エピタキシャルウェハの表面に不純物添加酸化物型の拡散ソースを塗布して熱処理することにより固相化し、しかる後、所望のキャリア濃度と拡散深さが得られる条件で固相-固相拡散を行って上記半導体エピタキシャルウェハ表面に拡散層を形成し、この拡散層の形成された化合物半導体エピタキシャルウェハの表面に溝で囲まれた小領域を形成して他の領域と電気的に分離し、小領域の拡散層に電気針を立てて電流を流すプロービング法によりエピタキシャルウェハの発光特性を評価することを特徴とする半導体エピタキシャルウェハの発光特性評価方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, G01M 11/00
, G01R 31/26
