特許

J-GLOBAL ID：200903049388833666

プラズマ処理方法および装置

発明者： 大本 豊 ,  水谷 巽
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-051766
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251300
出願日： 1998年03月04日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】集積度の高い半導体回路ウエハを均一かつ低損傷で加工する。【解決手段】周波数1GHz以下の電磁波を電子サイクロトロン共鳴(ECR)させてプラズマを発生させ、ECRの位置における試料方向への磁場勾配が70Gauss/cm以上の磁場を用い、試料の処理を行う。

請求項（抜粋）：

周波数1GHz以下の電磁波を電子サイクロトロン共鳴(ECR)させてプラズマを発生させ、試料の処理を行うプラズマ処理方法において、前記ECRの位置における前記試料方向への磁場勾配が70Gauss/cm以上の磁場を用いることを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 G ,  H05H 1/46 C