特許
J-GLOBAL ID:200903049389753445

半田バンプ形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-102572
公開番号(公開出願番号):特開平6-069640
出願日: 1992年04月22日
公開日(公表日): 1994年03月11日
要約:
【要約】【目的】基板上の電極に湿式工程や真空工程なしで、また機械的衝撃をかけることなく高精度な半田バンプを形成する。【構成】ポンチ1とダイス3を用いて半田シート14を打ち抜いてポンチ1の先端で打ち抜いた半田片4を表面に接着層をもつ仮配置板に接触させ所定の位置に配置した後、仮配置板21を予めフラックス5を塗布した基板上の電極8に位置合わせし、半田片4を電極8上に転写する。次いで半田片4を電極8上に溶着させ半田バンプ12とする。
請求項(抜粋):
プレス加工して形成した半田片を基板の電極の配置を反転した配置で仮配置板上に順次配置した後、前記仮配置板と前記基板とを重ね合わせて前記配置された半田片と前記電極とを接触させ、前記配置した半田片を前記仮配置板から前記基板の電極に転写することを特徴とする半田バンプ形成方法。
IPC (2件):
H05K 3/34 ,  H01L 21/321
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平1-308038
  • 特開平4-010542
  • 特開昭64-022049
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