特許
J-GLOBAL ID：200903049392072572
Hブリッジ回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-250977
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082946
出願日： 1998年09月04日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：
【要約】【課題】 電源電圧の広い範囲で有効に使用できるHブリッジ回路を提供する。【解決手段】 NMOS型の電界効果トランジスタQ1及びPMOS型の電界効果トランジスタQ2は並列接続され、これによる第1並列回路は、NMOSトランジスタQ3と直列接続される。NMOS型の電界効果トランジスタQ4及びPMOS型の電界効果トランジスタQ5は並列接続され、これによる第2並列回路は、NMOS型のトランジスタQ6と直列接続される。第1並列回路及びトランジスタQ3による直列回路と、第2並列回路及びトランジスタQ6による直列回路とは並列接続され、その一方の端部が電源電圧VMに接続され他方の端部がGNDに接続される。第1並列回路及びトランジスタQ3の共通接続点と、第2並列回路及びトランジスタQ6の共通接続点とには、それぞれ負荷接続用の出力端子T1及びT2が接続される。
請求項（抜粋）：
NMOS型の第1の電界効果トランジスタとPMOS型の第2の電界効果トランジスタとが並列接続された第1の並列回路と、前記第1の並列回路に直列接続されたNMOS型の第3の電界効果トランジスタと、NMOS型の第4の電界効果トランジスタとPMOS型の第5の電界効果トランジスタとが並列接続された第2の並列回路と、前記第2の並列回路に直列接続されたNMOS型の第6の電界効果トランジスタと、前記第1の並列回路及び前記第3の電界効果トランジスタの共通接続点と、前記第2の並列回路及び前記第6の電界効果トランジスタの共通接続点とにそれぞれ接続された第1及び第2の出力端子と、前記第1の並列回路及び前記第3の電界効果トランジスタによる直列回路と、前記第2の並列回路及び前記第6の電界効果トランジスタによる直列回路とを並列接続して第3の並列回路を形成し、当該第3の並列回路の一方の端部を電源電圧供給ラインに接続し他方の端部を基準電圧ラインに接続する接続手段と、を有することを特徴とするHブリッジ回路。
Fターム (10件)：
5J055AX05
, 5J055AX11
, 5J055BX16
, 5J055DX13
, 5J055DX14
, 5J055DX22
, 5J055DX44
, 5J055DX60
, 5J055GX01
, 5J055GX06
