特許

J-GLOBAL ID：200903049392289202

固体撮像装置及びその製造方法

発明者： 小玉 光文 ,  荒井 三千男
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  ティーディーケイ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-071458
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254693
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】 高感度を有する光センサーを得ることを目的とする。【構成】 絶縁層102上にゲイト電極103とそれを覆ってゲイト絶縁膜104を設け、該ゲイト絶縁膜104上に光照射によってキャリアを発生する活性領域106が設けられている。光照射111が行われることによって、活性領域106において光キャリアが発生し、不純物がドーピングされた層105と107との間に電流が流れる。この電流によって、光照射111を高感度に検出することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に結晶性を有するシリコンを用いたMISトランジスタのソース領域とドレイン領域との間に光照射されることで光キャリアを発生する活性層を有し、該光キャリアの内、ゲイト絶縁膜との境界近傍を流れるキャリアと反対の極性を持つ光キャリアが該活性層内に一時的に蓄積されることで発生するソース・ドレイン電流の変化を信号として光電変換する固体撮像素子を有する固体撮像装置であって、該固体撮像素子を構成するゲイト電極及びゲイト絶縁膜が活性層より基板側にあることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 27/14 C ,  H01L 31/10 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-293900   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平4-206969
  
• 特開平4-206969