特許
J-GLOBAL ID：200903049395817897
リードフレーム半導体素子搭載部のディンプルの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-286523
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142667
出願日： 1993年11月16日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 リードフレーム半導体素子搭載部には、モールド材との密着性を高めるため、ディンプルを形成するが、従来は単純形状のディンプルではく離を起こして、半導体製造工程に支障をきたしていた。これを解決することを目的とする。【構成】 第1の工程のダイにより一定の深さのディンプルを形成し、次にその側縁部を、角度を持った第2の工程のダイにより、ディンプル周辺の肉を寄せて、ディンプル内に段差を形成する。
請求項（抜粋）：
リードフレーム半導体素子搭載部に所定の間隔をおいて配列されたディンプルの形成方法において、第1の工程のダイにより一定の深さを持ったディンプルを形成し、次にその側縁部を、角度を持った第2の工程のダイにより、ディンプル周辺の肉を寄せることでディンプル内に段差を形成し、半導体素子をシールドするモールド材との密着性を高めるディンプルを形成することを特徴とするリードフレーム半導体素子搭載部のディンプルの形成方法。
IPC (2件)：
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