特許

J-GLOBAL ID：200903049398023549

高速原子層めっきのための方法及び装置

発明者： コリン・ジョン・ディッキンソン ,  フランク・ジャンセン
出願人/特許権者： ザ・ビーオーシー・グループ・インコーポレーテッド
代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  内田 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-380906
公開番号（公開出願番号）：特開2005-232591
出願日： 2004年12月28日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：

【課題】非常に薄い膜を表面にめっきする方法である原子層めっきにおいて前駆物質ガスの望ましくない凝縮を回避し、プロセスが高速のサイクル時間で実施できる装置とプロセスを提供する。【解決手段】前駆物質ガスを受け入れるための入口と、出口配管を通して排気ポンプに連結されている少なくとも1つの出口とを含んでいるプロセス反応器チャンバと、入口と連結されている、第1前駆物質ガスを受け入れる第1前駆物質ガス弁と、入口と連結されている、第2前駆物質ガスを受け入れる第2前駆物質ガス弁と、第1前駆物質ガス弁と連結されている第1バイパス導管と、第2前駆物質ガス弁と連結されている第2バイパス導管と、を備えており、第1バイパス導管と第2バイパス導管とは、出口配管と分離されている、原子層めっき装置および前駆ガスを適切に切り替える方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

前駆物質ガスを受け入れるための入口と、出口配管を通して排気ポンプに連結されている少なくとも1つの出口とを含んでいるプロセス反応器チャンバと、 前記入口と連結されている、第1前駆物質ガスを受け入れる第1前駆物質ガス弁と、 前記入口と連結されている、第2前駆物質ガスを受け入れる第2前駆物質ガス弁と、 前記第1前駆物質ガス弁と連結されている第1バイパス導管と、 前記第2前駆物質ガス弁と連結されている第2バイパス導管と、を備えており、 前記第1バイパス導管と前記第2バイパス導管とは、前記出口配管と分離されている、原子層めっき装置。

IPC (5件)：

C23C16/455 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/318

FI (5件)：

C23C16/455 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C ,  H01L21/31 C ,  H01L21/318 B

Fターム (25件)：

4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA04 ,  4K030JA05 ,  4K030LA15 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB33 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE19 ,  5F045EH18 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37