特許
J-GLOBAL ID：200903049404283930
イオンスラスタ及びその構造の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八木田 茂 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-186151
公開番号（公開出願番号）：特開平7-071362
出願日： 1994年08月08日
公開日（公表日）： 1995年03月14日
要約：
【要約】【目的】熱衝撃に対する耐力を増大させ、イオンスラスタのセラミック材料における熱の消散を改善するための装置及び方法を提供すること。【構成】高い熱伝導性を有する金属製材料の被覆(21)が放電チャンバ(3) のセラミック被覆(5) の外側と結合する。
請求項（抜粋）：
外側支持構造体(1) 、セラミック材料で作られたイオン化チャンバ(3) 、前記イオン化チャンバ(3) にガスを供給する手段(15)及びガスをイオン化する手段(11,13)を備えたイオンスラスタにおいて、高い熱伝導性を有する材料(21,25) の層をイオン化チャンバ(3) を形成するセラミック材料に接触させて配置し、熱の消散を促進するようにしたことを特徴とするイオンスラスタ。
IPC (3件)：
F03H 1/00
, B64G 1/40
, C04B 41/88
