特許

J-GLOBAL ID：200903049404289661

高耐圧半導体装置

発明者： 村上 進 ,  松吉 聡 ,  小野瀬 秀勝 ,  望月 康弘
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-063251
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273307
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 半導体基体1の端面9に正ベベル構造10と負ベベル構造11を機能的に配置し、高信頼性と高耐圧特性が発揮できる高耐圧半導体装置を提供する。【構成】 少なくともp型の高不純物濃度の第1の半導体領域2とn型の第2の半導体領域3からなり、第1の半導体領域2と第2の半導体領域3とでpn接合部13が形成され、端面9が露出した半導体基体1と、第1の半導体領域2に設けられたアノード電極7と、第2の半導体領域3に設けられたカソード電極8を有する高耐圧半導体装置において、半導体基体1の露出した端面9は、pn接合部13を含む一定の厚み部分が正ベベル構造10を有し、残りの厚み部分が負ベベル構造11を有するように構成され、カソード電極8は、第2の半導体領域3の露出した端面9より外方に突出し、突出部分を含む長さが第1の半導体領域2の端面間の最長幅に等しいかそれより僅かに長くなる。

請求項（抜粋）：

少なくとも第1の導電型の高不純物濃度の第1の半導体領域と第2の導電型の第2の半導体領域とからなり、前記第1の半導体領域及び前記第2の半導体領域によってpn接合部が形成され、かつ、端面が露出した半導体基体と、前記第1の半導体領域の表面に設けられた第1の電極と、前記第2の半導体領域の表面に設けられた第2の電極とを有する高耐圧半導体装置において、前記半導体基体の露出した端面は、その厚み方向に、前記pn接合部を含む一定の厚みの部分が正ベベル構造を有し、かつ、残りの厚みの部分が負ベベル構造を有するように構成され、前記第2の電極は、設けられている部分の半導体領域の露出した端面よりも外方に突出し、その突出部分を含む長さが前記第1の半導体領域の端面間の最長幅に等しいかそれより僅かに長く構成されていることを特徴とする高耐圧半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/80

FI (3件)：

H01L 29/74 M ,  H01L 29/74 B ,  H01L 29/80 V