特許

J-GLOBAL ID：200903049404607205

メタライゼーション構造体

発明者： トニー チャン ,  ペイユン ディン ,  バリー チン ,  イムラン ハシム ,  ビングシー スン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-164090
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054458
出願日： 1998年05月08日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】銅合金、例えばCu-Mg又はCu-Alの層がシリコン酸化物をベースにした誘電体層上に堆積され、銅合金の層上に実質的に純粋の銅の層が堆積される銅のメタライゼーション構造およびその形成方法を提供する。【解決手段】銅合金の層(112) は、通路の孔及びトレンチ(66)を続いて純粋な銅(112) で充填するためのシード又はウエッティング層として働き、下にある誘電体(64)と上にある純粋な銅(112) との境界面にバリアを与える。銅合金(112) は、スパッタ工程においてコールド堆積されてもよいが、純粋な銅層の堆積中か、その後に分離したアニーリングステップにおて、温度が充分上昇され、銅合金の合金元素が誘電体層に移動するようにする。内部のバリアは合金層の誘電体層への接着を促進し、それによって、続く銅の完全充填技術に対する優れたウエッティング及びシード層を形成する。

請求項（抜粋）：

銅のメタライゼーションを形成する方法であって、酸化物を有する基板の誘電体部分に銅と10原子%より少ない合金元素を含む銅合金をスパッタ堆積する第1のステップと、前記銅合金に銅の層を堆積する第2のステップ、を有することを特徴とする方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/285 S ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 A