特許
J-GLOBAL ID：200903049408528865
半導体モジュールおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-288214
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100753
出願日： 2004年09月30日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】 発光素子などの半導体素子を搭載し、高放熱性、薄型化を実現した半導体モジュールおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体モジュール10は金属基板11の突出部12を設けることにより、発光素子15から発生する熱を効率よく金属基板11に伝達させ、放熱性を向上させることが可能となる。従って、熱による影響を抑制することで、発光素子の駆動能力の維持させることができ、より信頼性の高い半導体モジュールを提供することが可能となる。また、複数の発光素子15をベアで実装して、一括してガス封止することにより、実装面積の小さくすることが可能となる半導体モジュールの小型化、薄型化を実現することが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
金属基板と、
前記金属基板上に絶縁膜を介して形成された導電パターンと、
前記導電パターン上に載置された半導体素子とを具備し、
前記金属基板には突出部が形成されており、前記突出部は前記半導体素子が載置された導電パターンの下方に位置することを特徴とする半導体モジュール。
IPC (5件)：
H01L 23/36
, H01L 23/02
, H01L 23/06
, H01L 25/18
, H01L 25/04
H01L23/36 C
, H01L23/02 F
, H01L23/06 B
, H01L25/04 Z
5F036AA01
, 5F036BB08
, 5F036BD01
