特許
J-GLOBAL ID：200903049410034527
化合物半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-098734
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275467
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】 その表面にn型InP系化合物半導体層がエピタキシャル成長されてなる基板またはn型InP系化合物半導体基板8上に、Cd,Mg,Mn,Zn,Hgなどアクセプタ準位を形成可能な金属の薄膜を10原子層以下に被着させ、この金属を基板表面に拡散させて深さ10原子層以下のp型半導体層12を形成した後、このp型半導体層の上にショットキ電極13を形成するようにした。【効果】 p型領域による障壁高さが加わってショットキ障壁高さが充分に高いショットキ電極が得られ、これによって、逆方向リーク電流が小さく耐圧の高いショットキゲート電極を有する特性の良好なMESFETおよびショットキ・ダイオードを安価で、安全に、再現性良く製造することができる。
請求項（抜粋）：
その表面にn型InP系化合物半導体層がエピタキシャル成長されてなる基板またはn型InP系化合物半導体基板の表面には、アクセプタ準位を形成可能な金属を不純物とし深さ10原子層以下のp型半導体層が形成され、このp型半導体層の上にショットキ電極が形成されていることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, C23C 16/46
, H01L 21/205
, H01L 29/48
