特許
J-GLOBAL ID：200903049410190472
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-207956
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051205
出願日： 1994年08月08日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 チャネル領域の基板表面に浅く急峻なプロファイルをもつP型拡散層を形成し、かつそのP型拡散層の不純物濃度の変化を抑える。【構成】 ゲート絶縁膜14は、ウエット酸化法でシリコン酸化膜を形成した後、N2O雰囲気中1050°Cでランプアニール処理を施して窒化処理したものである。そのゲート絶縁膜14を通してボロンを5KeVで1.8×1012/cm2注入して表面P-層13を形成する。このボロン注入はゲート絶縁膜14中に注入飛程を設定して行なった。
請求項（抜粋）：
MOSFETを製造する方法において、半導体基板表面にゲート絶縁膜として窒化膜又は窒化処理した酸化膜を形成し、その後の工程においてチャネル領域の基板表面部に前記ゲート絶縁膜を通してP型不純物をイオン注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 H
, H01L 21/265 W
