特許

J-GLOBAL ID：200903049410755186

酸素拡散防止膜を有するキャパシタ及びその製造方法

発明者： 鄭 鉉 振
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (6件)： 三枝 英二 ,  舘 泰光 ,  眞下 晋一 ,  松本 公雄 ,  立花 顕治 ,  井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-425000
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214655
出願日： 2003年12月22日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：

【課題】 下部電極と誘電膜との間における酸化膜の生成を抑制することができるキャパシタ及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 キャパシタは、下部電極28aと、下部電極28a上のアルミニウムを含有する酸素拡散防止膜30,31と、酸素拡散防止膜30、31上の誘電膜32と、誘電膜32上の上部電極33とを含んで構成されている。上記キャパシタによれば、下部電極28aと誘電膜32との間にシリコン窒化膜30とアルミナ膜31の二重の膜で構成された酸素拡散防止膜を備えているので、熱処理の際に、酸素が下部電極28aに拡散するのを防止することができる。そのため、キャパシタンスが高くなり、リーク電流が減少するので、安定な素子特性を得ることができる。【選択図】図3E

請求項（抜粋）：

下部電極と、 該下部電極上のアルミニウムを含有する酸素拡散防止膜と、 該酸素拡散防止膜上の誘電膜と、 該誘電膜上の上部電極と を含んで構成されていることを特徴とするキャパシタ。

IPC (2件)：

H01L21/8242 ,  H01L27/108

FI (2件)：

H01L27/10 621C ,  H01L27/10 651

Fターム (13件)：

5F083AD24 ,  5F083AD62 ,  5F083GA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA33 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR16 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第6355519号公報
  
• 米国特許第6207528号公報