特許
J-GLOBAL ID：200903049417489066
フラッシュメモリアレイを消去又は前消去する回路及び方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-186246
公開番号（公開出願番号）：特開2001-052488
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 トンネル酸化物の電界強度変動を減少して消去動作を改善し、耐久サイクルの数を増加し、過消去エラーを少なくしたEEPROMを提供する。【解決手段】 フラッシュセルの消去速度に関連し、更にそのようなフラッシュセルを消去状態に置くために不十分な電荷のある量をフラッシュセルから除去するために条件付け信号を発生し;そのようなセルが非消去状態にある間にそのようなフラッシュセルに該条件付け信号を印加する各段階からなり、速い放電フラッシュセルの消去速度が減少される、アレイのフラッシュセルに対するターゲット消去速度より実質的に速い消去速度により特徴付けられるメモリアレイ内の速い放電フラッシュセルの消去速度を減速する。
請求項（抜粋）：
(a) フラッシュセルの消去速度に関連し、更にそのようなフラッシュセルを消去状態に置くために不十分な電荷のある量をフラッシュセルから除去するために条件付け信号を発生し;(b) そのようなセルが非消去状態にある間にそのようなフラッシュセルに該条件付け信号を印加する各段階からなり、速い放電フラッシュセルの消去速度が減少される、アレイのフラッシュセルに対するターゲット消去速度より実質的に速い消去速度により特徴付けられるメモリアレイ内の速い放電フラッシュセルの消去速度を減速する方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G11C 17/00 612 A
, G11C 17/00 612 B
, G11C 17/00 612 E
, G11C 17/00 632 D
