特許

J-GLOBAL ID：200903049426300820

局所相互接続シリサイド構造およびその形成方法

発明者： セシャドリ・ラマスワミ ,  ロビン・ダブリュ・チェン
出願人/特許権者： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-282315
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232073
出願日： 1993年11月11日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 酸化物領域(24)によって分離されたシリコン領域(16)とシリコン領域(20)とを接続するための局所相互接続シリサイド構造を提供する。【構成】 前記構造はシリコン領域に接触する珪化チタン/窒化チタン/珪化チタンの第1の部分、酸化物領域に接触するチタン/窒化チタン/珪化チタンの第2の部分を含む。前記構造はさらにソース/ドレイン領域(14)およびポリシリコン相互接続(28)を接続するのに役立つ。2つの加熱ステップが用いられ、エッチングステップにより分けられて相互接続を形成する。第1の加熱ステップは(a)単結晶または多結晶シリコンで珪化チタンを、(b)アモルファスシリコン(30D)で珪化チタンを形成する。第2の加熱ステップは第1の温度より高く、すべての珪化物を二珪化物に変える。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ上の酸化物領域によって分離されたシリコン領域とシリコン領域とを接続するための局所相互接続シリサイド構造であって、前記シリコン領域に接触する珪化チタン/窒化チタン/珪化チタンの第1の部分、および前記酸化物領域に接触するチタン/窒化チタン/珪化チタンの第2の部分を含む、局所相互接続シリサイド構造。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90