特許
J-GLOBAL ID：200903049431650015
誘電体フィルタとその実装構造
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-356929
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191704
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：
【要約】【課題】リアクタンス素子自体を回路基板側に形成する必要なく、簡易な導体層の形成によって減衰極の位置を容易に制御することのできる小型化が可能な誘電体フィルタとのその実装構造を提供する。【解決手段】回路基板Bへの実装面に1対の信号用電極5、6と、外導体層4を具備する誘電体フィルタAを、グランド用導体層9と一対の信号用導体層7、8が被着形成された回路基板B表面に実装してなる誘電体フィルタの実装構造において、誘電体フィルタAの実装面にリアクタンス形成用の長尺状導体層11を、回路基板B表面に外導体層4と長尺状導体層11とを電気的に接続するための接続用導体層12をそれぞれ被着形成し、実装時にフィルタの外導体層4とグランド用導体層9とを長尺状導体層11および接続用導体層12を介在して接続することにより、長尺状導体層11によって所定のリアクタンスを発生せしめる。
請求項（抜粋）：
誘電体ブロックと、該誘電体ブロック内に形成され、内面に内導体層が被着形成された貫通孔と、前記誘電体ブロックの外表面に形成された外導体層と、一対の信号用電極とを具備する複数の同軸共振器を容量性結合してなる誘電体フィルタにおいて、前記誘電体フィルタの回路基板実装面に、該外導体層と所定間隔をもって形成されたリアクタンス形成用の長尺状導体層が被着形成されてなることを特徴とする誘電体フィルタ。
FI (2件)：
H01P 1/205 C
, H01P 1/205 K
