特許
J-GLOBAL ID：200903049431953999
真空マイクロ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-075625
公開番号（公開出願番号）：特開平9-265895
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：
【要約】【課題】従来はエミッタを細かくすることができなく、又数百V〜数十kVという高いアノード電圧に耐える充分な耐圧、機械的強度を有する一体型アノード形成が困難であった。【解決手段】本発明は上記課題を解決したもので、アノードを形成する第1の単結晶Si層と、ゲートを形成する〈110〉方位を主面に持つ第2の単結晶Si層とが酸化Si層を介して接合されており、該第2のSi層に非接着面側から形成した凹部を鋳型として形成したエミッタ層と、該エミッタ層の尖端が露出するように形成された貫通開口部を有することを特徴とする真空マイクロ素子で、望ましくは、アノード層として、〈110〉Siを用いることなどにより、主面に対して、垂直の開口形状を形成したことを特徴とするもの。
請求項（抜粋）：
アノードを形成する第1の単結晶Si層と、ゲートを形成する〈100〉方位を持つ第2の単結晶Si層とが酸化Si層を介して接合されており、前記第2のSi層に非接着面側から形成された凹部を鋳型として形成したエミッタ層と、該エミッタ層の尖端が露出するように形成された貫通開口部を有することを特徴とする真空マイクロ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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