特許

J-GLOBAL ID：200903049435442964

電界効果素子によるメモリ素子

発明者： 中川 清和 ,  杉井 信之 ,  山口 伸也 ,  宮尾 正信
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-314793
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150194
出願日： 1997年11月17日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【課題】SiとGeという4族系半導体からなる多層構造を用いて単一の電界効果トランジスタでメモリ機能を可能とし、本トランジスタで不揮発な半導体メモリを提供する。【解決手段】SiGe多層膜からなり、チャネル層に隣接するバリア層内にキャリアをトラップする領域を形成し、ゲートに電界を印加することでチャネル内のキャリアをトラップ領域に移動させ、トラップ中の電荷量があるか否かによりドレーン電流量が変化することを利用してメモリとして動作させる。

請求項（抜粋）：

Si基板上にSi<SB>1-X</SB>Ge<SB>X</SB>混晶層(0<x<1)をSiに格子整合させないで成長し、その上にSi<SB>1-X</SB>Ge<SB>X</SB>混晶層に格子整合させてSi層とSi<SB>1-X</SB>Ge<SB>X</SB>混晶層を成長して形成したSi基板/Si<SB>1-X</SB>Ge<SB>X</SB>混晶層/Si層/Si<SB>1-X</SB>Ge<SB>X</SB>混晶層において、Si層を挟む2つのSi<SB>1-X</SB>Ge<SB>X</SB>混晶層の少なくとも一層中にSi微細結晶を埋め込んだ電界効果トランジスタにおいて、ゲート電圧を印加することで埋め込んだSi微細結晶に電荷を蓄積させ、蓄積電荷量によりドレーン電流を変化させることを特徴とするn型電界効果素子によるメモリ素子。

IPC (7件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/78 301 H