特許
J-GLOBAL ID：200903049437413457
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-206316
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058112
出願日： 1993年08月20日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板上に熱応力の発生を軽減できるバンプ電極の形成技術を提供することを目的とする。【構成】 半導体装置におけるバンプ電極を、半導体基板上に形成された単一の電極パッド上に複数に分割して形成するようにした。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された電極パッド上にバンプ電極を有する半導体装置において、上記電極パッド上のバンプ電極が複数個に分割され形成されていることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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