特許

J-GLOBAL ID：200903049439147991

多層配線およびその製造方法

発明者： 田口 充
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-231936
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074346
出願日： 1997年08月28日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】 溝配線技術では、微細な接続孔の底部に露出するAl系金属配線表面に窒化チタン膜を残す構造を形成するには、工程数の増大、また特殊な成膜条件の最適化等が必要であり、困難であった。【解決手段】 基板10上に、配線26、それを覆う絶縁膜31が形成されていて、この絶縁膜31に配線26に通じる接続孔34、その内部に導電性のプラグ37が形成されている多層配線であって、配線26は、主配線層24と、そ側壁に設けられているもので少なくとも導電性の窒化膜を含む側壁配線層25とからなり、プラグ37は、少なくとも側壁配線層25の上部に接続されているものである。またプラグ37との接続部分の配線26はプラグ37よりも狭い幅に形成され、プラグ37は側壁配線層25の側部にも接続され、配線26はプラグ37との接続部分の幅がそれ以外の部分の幅よりも狭く形成されていることが好ましい。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されている配線と、該配線を覆う絶縁膜に形成されているもので該配線に通じる接続孔と、該接続孔内に形成されている導電性のプラグとが備えられている多層配線において、前記配線は、主配線層と、少なくとも導電性の窒化膜を含むもので前記主配線層の側壁に設けられている側壁配線層とからなり、前記プラグは、少なくとも前記側壁配線層の上部に接続されていることを特徴とする多層配線。