特許

J-GLOBAL ID：200903049442998277

窒化物系化合物半導体の製造方法

発明者： 坂井田 敏昭
出願人/特許権者： 坂井田 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-196773
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005658
出願日： 2003年06月11日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】GaInN形成工程前に必要な低温バッファ層の形成工程を省略し、高温の膜形成工程のみとする方法による発光素子の製造方法。【解決手段】サファイア基板上に高温バッファ層、窒化珪素バッファ体を作成することにより、GaInNからなる発光素子の特性が大幅に向上し、エネルギーコストが低減し、装置の寿命が長くなる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

基板上に高温でバッファ層を成長させ、さらに前記バッファ層上に窒化物系化合物半導体を形成する製造方法において、前記窒化物系化合物半導体の形成に先立ち、窒化珪素化合物からなるバッファ体を形成することを特徴とする製造方法。

IPC (2件)：

H01S5/323 ,  H01L21/205

FI (2件)：

H01S5/323 610 ,  H01L21/205

Fターム (27件)：

5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045EB11 ,  5F045EB15 ,  5F073AA55 ,  5F073CA07 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23