特許
J-GLOBAL ID：200903049444460584
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-296045
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114558
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：
【要約】【目的】本発明は、金属膜や絶縁膜等のパターン加工の高精度化、高信頼性を実現できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】SiO2 4を介してAl配線3上にAl膜5を形成する工程と、このAl膜5上に厚さ50nmの炭素膜6,フォトレジスト7を順次形成する工程と、このフォトレジスト7に露光,現像を行ないフォトレジストパターンを形成する工程と、これをマスクにして炭素膜6,Al膜5をパターニングする工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
光反射性の被加工膜上に炭素膜を形成する工程と、この炭素膜上に感光性樹脂層を形成する工程と、この感光性樹脂層に所望のパターンを露光し現像を行なうことにより、前記感光性樹脂層をパターン加工する工程と、この感光性樹脂層をマスクとして前記炭素膜をエッチングする工程と、前記感光性樹脂層又は前記炭素膜をマスクとして前記被加工膜をエッチングする工程とを含み、前記炭素膜厚の膜厚を、前記光反射性の被加工膜及び炭素膜による反射光の反射率が、炭素膜の有する固有の反射率より小さくなる領域に設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 7/11 503
, H01L 21/28
, H01L 21/3205
H01L 21/30 361 T
, H01L 21/88 D
