特許
J-GLOBAL ID：200903049445901258
薄膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-058711
公開番号（公開出願番号）：特開平5-263226
出願日： 1992年03月17日
公開日（公表日）： 1993年10月12日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、薄膜形成方法に関し、スパッタガスの圧力を高くすることなく、タングステン膜の実用的な成長速度を維持して、膜応力及び比抵抗の小さいタングステン膜をスパッタ法により形成することを目的とする。【構成】 スパッタガスとしてキセノン(Xe)とアルゴン(Ar)とのガスの組成比を0.1≦Ar/(Ar+Xe)≦0.4の範囲の割合で混合し、そのスパッタガスを用いて、タングステン薄膜を形成するように構成する。
請求項（抜粋）：
スパッタガスとしてキセノンとアルゴンを混合し、該スパッタガスを用いてスパッタ法によりタングステン薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (4件)：
C23C 14/34
, C23C 14/18
, H01L 21/203
, H01L 21/285 301
