特許
J-GLOBAL ID：200903049452312381
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-274124
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139404
出願日： 1994年11月09日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 活性層のエピタキシャル成長時にバリア層が平坦性を失うことなく、良好な歪み補償構造を実現する。【構成】 バリア層3と、このバリア層3に挟まれた量子井戸層4とは半導体レーザの活性層を形成している。量子井戸層4は圧縮歪みを持つ主量子井戸層5と、この主量子井戸層5を挟み込みかつ主量子井戸層5の圧縮歪みを補償するための引張り歪みを持つ副量子井戸層6とが積層されて形成されている。
請求項（抜粋）：
バリア層と量子井戸層とが順次積層してなる活性層と、前記活性層の禁制帯幅よりも大きい禁制帯幅を有しかつ前記活性層を挟むように配設されたn型クラッド層及びp型クラッド層とが半導体基板上に形成された半導体レーザであって、前記量子井戸層を形成しかつ臨界膜厚以内の歪みを有する主量子井戸層と、前記量子井戸層を形成しかつ前記主量子井戸層を挟むように配設されて前記主量子井戸層の歪みを補償するための臨界膜厚以内の歪みを有する第1及び第2の副量子井戸層とを有することを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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