特許
J-GLOBAL ID:200903049453372043
多波長発光素子
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-375326
公開番号(公開出願番号):特開2002-176198
出願日: 2000年12月11日
公開日(公表日): 2002年06月21日
要約:
【要約】【課題】 単一の発光層から複数の波長の光を発し、しかも一組のp型及びn型電極に電流を注入するだけで多色発光する、特に白色発光する発光素子を提供すること。【解決手段】 素子構造は、サファイアC面基板1、低温成長されたGaNバッファ層11、無添加のGaN層12、Si添加のn-GaNコンタクト層21、複数の井戸層を有する多重量子井戸構造(MQW)の発光層3、Mg添加のp-AlGaNクラッド層22、Mg添加のp-GaNコンタクト層23からなる。上記発光層3は、そこから発せられる光が、発光スペクトル中に少なくとも2つ以上のピークを含むような多層構造、例えば井戸層のバンドギャップを異ならせたグループを複数設けることで多波長発光が可能とされている。
請求項(抜粋):
n型半導体層と、p型半導体層と、多層構造からなる発光層を備える発光素子において、発光スペクトル中に少なくとも2つ以上のピークを含む光を発する多層構造を発光層内に有することを特徴とする多波長発光素子。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L 33/00 F
, H01L 33/00 C
, H01L 21/205
Fターム (23件):
5F041AA03
, 5F041AA12
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AD08
, 5F045AD11
, 5F045AD14
, 5F045AF09
, 5F045AF13
, 5F045BB16
, 5F045CA10
, 5F045DA53
, 5F045DA55
, 5F045DA63
前のページに戻る