特許
J-GLOBAL ID：200903049455693734
磁気抵抗素子を利用したセンサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-518707
公開番号（公開出願番号）：特表平8-508105
出願日： 1995年01月11日
公開日（公表日）： 1996年08月27日
要約：
【要約】近接センサを、共通の平面内に配置され、永久磁石の側面から離間された2つの磁気抵抗素子で構成する。磁気抵抗素子の共通の検出平面は、永久磁石のN極とS極の間に延びるその磁石の磁軸とほぼ平行な方向に形成される。あらかじめ選択した磁極面を基準として検出ゾーンが画定され、上記磁気抵抗素子は第1及び第2の信号を発生し、これらの信号を比較することによって、検出ゾーン内の透磁性物体の有無を表す第3の信号を形成することができる。上記磁気抵抗素子は、各々、上記第1及び第2の信号を発生するためのホィーストン・ブリッジの形に配列された複数の磁気抵抗器で構成することができる。
請求項（抜粋）：
N極とS極及びこれらの両極間に延びる磁軸を有する永久磁石と; 上記永久磁石の外部で、そのN極及びS極のうちあらかじめ選択した一方の磁極から離されており、上記磁軸が貫通している検出ゾーンと; ほぼ上記磁軸に平行な検出平面内に配置された第1の磁気抵抗素子と; 上記検出平面が上記永久磁石から上記磁軸に垂直な方向に離されていて、その検出平面に配置された第2の磁気抵抗素子と; 上記第1及び第2の磁気抵抗素子からの第1と第2の信号とを比較して、上記検出ゾーンにおける透磁性材料の量を表す第3の信号を発生するための比較手段と;を具備したセンサ。
IPC (3件)：
G01V 3/08
, G01B 7/30 101
, G01R 33/09
G01V 3/08 A
, G01B 7/30 101 B
, G01R 33/06 R
