特許

J-GLOBAL ID：200903049457133515

半導体レーザ素子

発明者： 田中 俊明 ,  皆川 重量 ,  矢野 振一郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-196371
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041560
出願日： 1991年08月06日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】【目的】室温において0.5μm帯の発振波長で動作するAlGaInP系半導体レーザ素子を提供する。【構成】半導体基板1上に(AlGa)<SB>α</SB>In<SB>1-α</SB>P(0.51<α≦0.73)混晶から成るダブルヘテロ構造体2、3、4を、両者の格子不整を解消するバッファ層1’を介して形成する。バッファ層1’としては、材料として(AlGa)<SB>α</SB>In<SB>1-α</SB>P混晶と組成Xで格子整合するGaAs<SB>1-x</SB>P<SB>x</SB>混晶を用い、これの組成を半導体基板として用いるGaAs基板1から(AlGa)<SB>α</SB>In<SB>1-α</SB>P混晶2にかけて0からXまでグレーデッドに変えたものを用いることができる。GaAs<SB>1-x</SB>P<SB>x</SB>混晶バッファ層1’の膜厚は数十μm程度である。【効果】GaAs基板上に、格子不整が約1.4%ある(AlGa)<SB>0</SB>.<SB>7</SB>In<SB>0</SB>.<SB>3</SB>P混晶を欠陥密度や歪量を小さく成長できた。この結果、レーザ構造としてダブルヘテロ接合が結晶性良く実現でき、多重量子井戸構造活性層を有するレーザ素子において、室温で530〜540nmの範囲のレーザ発振波長を得た。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、(AlGa)<SB>α</SB>In<SB>1-α</SB>P(0.51<α≦0.73)混晶から成るダブルヘテロ構造体を、両者の格子不整を解消するバッファ層を介して形成し、かつ上記ダブルヘテロ構造体の光導波層は(Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>)<SB>α</SB>In<SB>1-α</SB>P(0<y≦1,0.51<α≦0.73)から成り、発光活性層は(Al<SB>z</SB>Ga<SB>1-z</SB>)<SB>α</SB>In<SB>1-α</SB>P(0≦z<y,0.51<α≦0.73)から成ることを特徴とする半導体レーザ素子。