特許
J-GLOBAL ID:200903049457939528

窒化物半導体レーザ素子

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-230537
公開番号(公開出願番号):特開平11-068256
出願日: 1997年08月27日
公開日(公表日): 1999年03月09日
要約:
【要約】【課題】 レーザ光のファーフィールドパターン形状が良好で、単一モードのレーザ光が得られる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】 共振面を有する窒化物半導体レーザ素子の少なくとも一方の共振面の活性層端面113以外の端面に不透光膜204が形成される。
請求項(抜粋):
互いに対向する活性層端面を共振面とする窒化物半導体レーザ素子において、少なくとも一方の共振面の活性層端面以外の端面に不透光膜が形成されてなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件):
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2件):
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開平3-077386
  • 特開昭64-000785

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