特許
J-GLOBAL ID：200903049461606983
半導体素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-061187
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264894
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 下地基板として、安価で導電性があり表面平坦性が高いSiを用いることができ、かつその上に良質のGaNを形成して素子特性の向上をはかる。【構成】 Si基板101上にMg0.4 Ca0.6 F2 層102を形成し、該層102の一部に穴を開け、その上にGaN低温成長層103,GaN高温成長層104,AlGaN光ガイド層105,GaN活性層106,AlGaNクラッド層107,GaN電極層108を形成してレーザ構造を実現する。
請求項（抜粋）：
基板上にCax Mg1-x F2 (0≦x≦1)層及びC-希土類構造のMgt Ca3-t N2 (0≦t≦3)層の少なくとも一方を形成し、該Cax Mg1-x F2層又は該Mgt Ca3-t N2 層を挟み基板の反対側に少なくともGay Inz Al1-y-z N(0≦y,z≦1)層を形成したことを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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