特許

J-GLOBAL ID：200903049461637390

液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、複合膜、およびレジストパターン形成方法

発明者： 平山 拓 ,  高須 亮一 ,  佐藤 充 ,  脇屋 和正 ,  吉田 正昭 ,  田村 弘毅
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (2件)： 正林 真之 ,  酒井 宏明
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004001956
公開番号（公開出願番号）：WO2004-074937
出願日： 2004年02月20日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

レジスト膜上に設けられる、液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料であって、露光光に対して透明で、液浸露光用の液体に対して実質的な相溶性を持たず、かつ前記レジスト膜との間でミキシングを生じない特性を有する材料、当該材料により形成された保護膜及びレジスト膜を有する複合膜、及びこれらを用いたレジストパターン形成方法が提供され、これらにより、液浸露光中のレジスト膜の変質および使用液体の変質を同時に防止し、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする。

請求項（抜粋）：

レジスト膜上に設けられる、液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料であって、露光光に対して透明で、液浸露光用の液体に対して実質的な相溶性を持たず、かつ前記レジスト膜との間でミキシングを生じない特性を有することを特徴とする液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料。

IPC (4件)：

G03F 7/11 ,  G03F 7/20 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F7/11 501 ,  G03F7/20 521 ,  G03F7/38 501 ,  H01L21/30 575 ,  H01L21/30 515D

Fターム (31件)：

2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB32 ,  2H025CB41 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025DA02 ,  2H025DA03 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA11 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096EA11 ,  2H096EA23 ,  5F046BA04 ,  5F046CB01 ,  5F046CB24 ,  5F046CC01