特許
J-GLOBAL ID：200903049470915875
半導体レーザの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-213109
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061587
出願日： 1992年08月11日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 耐環境性能に優れた高性能な半導体レーザを低価格で大量に作製する。【構成】 n-InPからなる半導体基板1の(100)面上に形成された〈011〉方向の2本のストライプマスク2を選択マスクとして用い、有機金属気相成長法で活性層ストライプ13を形成する。ストライプマスク2除去し、埋め込み成長を行う。活性層ストライプ13の上部に選択的に不純物拡散を行い電流狭搾構造を形成する。
請求項（抜粋）：
有機金属気相成長法を用いる半導体レーザの製造方法において、n-InPからなる半導体基板の(100)面上に〈011〉方向に近接した2本のストライプマスクを形成し、ストライプマスクを選択マスクとして用いn-InPからなるバッファー層およびInGaAsまたはInGaAsPからなる活性層およびp-InPからなる第2のクラッド層を成長させることで活性層ストライプと2重チャンネルを形成し、ストライプマスクを除去してp-InPからなる第1のブロック層およびn-InPからなる第2のブロック層およびp-InPからなる埋め込み層およびp-InGaAsPからなるキャップ層を成長させ、活性層ストライプの上部に選択的に不純物拡散を行って電流狭搾構造を形成することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (2件)：
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