透明導電膜

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-096988
公開番号（公開出願番号）：特開平6-150723
出願日： 1992年03月23日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】本発明は、高い光屈折率と低い抵抗率を有するGaN系透明導電膜に関する。また本発明を種々のオプトエレクトロニクス素子に適用することにより光閉じ込め効果をもつより高機能な透明導電膜を提供する。【構成】 Ga原料としてTEG、窒素原料としてN2ガスおよびNH3ガスを用い、ECR-MOCVD法を用いて、成膜時ガス圧力:0.009Torr、基板温度:350°CでGaN薄膜を形成した。図の1は不純物等を故意に添加しないGaN透明導電膜、2はVI族のOを、およびIV族のTiをそれぞれ1化学式当たり0.6並びに2原子%含有したGaN:OやGaN:Ti透明導電膜およびGa原子の15原子%をInで置き換えた(Ga0.85In0.15)N透明導電膜、3はGaNに対し、OとTiを同時に導入したGaN:O,Ti透明導電膜の各膜の抵抗率の成膜ガス圧依存性を示す。本発明により、最高光屈折率:2.3、平均可視光透過率:85%そして最低電気抵抗率:0.0003Ωcm、最低シート抵抗3Ω/□の各値が得られた。

請求項（抜粋）：

【請求項 1】基体上に形成した光屈折率2.1以上、好ましくは2.2以上で電気抵抗率0.1Ωcm以下好ましくは0.01Ωcm以下の透明かつ導電性を有し、多結晶質もしくは微結晶質窒化ガリウム(GaN)から成ることを特徴とする透明導電膜。【請求項 2】前記請求項1のGaNが、ガリウムの一部をインジウム(In)、アルミニウム(Al)またはホウ素(B)のようなIII族元素のうち少なくとも1種、もしくは2種、もしくは3種によって置換されて成るGaNを主成分とすることを特徴とする透明導電膜。【請求項 3】前記請求項1および2のGaNもしくはGaNを主成分とする透明導電膜に対して、酸素、イオウ、セレンおよびテルルのようなVI族元素や、炭素、シリコン、ゲルマニウム、錫、チタニウム、ジルコニウム、またはハフニウムのようなIV族元素のうち少なくとも1種を、もしくはVI族元素とIV族元素のそれぞれ少なくとも1種を同時に1化学式当たり0.01〜20原子%含有したGaNを主成分とすることを特徴とする透明導電膜。【請求項 4】基体上に少なくとも1種の金属薄膜あるいは酸化物透明導電膜と、前記請求項1、2または3のGaN透明導電膜とを積層もしくは交互に多層積層して成ることを特徴とする透明導電膜。【請求項 5】前記請求項1の基体がガラスまたはプラスチックである請求項1、2、3または4記載の透明導電膜。【請求項 6】太陽電池用透明電極、またはフラットパネル形ディスプレイ用透明電極として使用する請求項1、2、3または4記載の透明導電膜。【請求項 7】基体表面上に光学フィルター用コーティング層として酸化物系またはフッ化物系透明膜で挟まれるか、あるいは酸化物系またはフッ化物系透明膜を挟むように多層形成された請求項1、2または3記載の透明導電膜。【請求項 8】太陽電池、フラットパネル形ディスプレイ、透明電磁波シールドフィルムあるいは透明ヒーター用透明導電膜を、あるいは単色もしくは近赤外域から近紫外域にわたるバンドパス光学干渉フィルタを製造するために使用される請求項1、2、3または4記載の透明導電膜。【請求項 9】無反射コーティングを製造するために使用される請求項1、2または3記載の透明導電膜。

IPC (3件)：

H01B 5/14 , C23C 14/06 , H01B 13/00 503

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭50-033199
特公昭61-033276

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