半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：並川啓志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-294033
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120256
出願日： 1992年10月08日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】リセス領域に残存する活性層の厚さを制御性よく所定厚さに形成して、飽和ドレイン電流などの電気特性を容易にかつ再現性よく制御することができる製造方法の提供する。【構成】(a)実質的に絶縁性である基板上に導電性半導体層を形成する工程と、(b)前記導電性半導体層上に所定の凹部に対応した第1の開口と該凹部よりも大面積の検出領域に対応した第2の開口を備えたマスクを形成する工程と、(c)電流・電圧特性を測定しつつ前記凹部および前記検出領域を同時に陽極酸化を行うことで前記導電性半導体層に前記凹部を形成する工程からなり、(d)前記電流・電圧特性に基づき前記検出領域での陽極酸化の終了を検知し、(e)前記終了の時点における電流・電圧特性の値に基づいて定められる電流・電圧特性の値まで変化した時点で陽極酸化を終了する。

請求項（抜粋）：

(a)実質的に絶縁性である基板上に導電性半導体層を形成する工程と、(b)前記導電性半導体層上に所定の凹部に対応した第1の開口と該凹部よりも大面積の検出領域に対応した第2の開口を備えたマスクを形成する工程と、(c)電流・電圧特性を測定しつつ前記凹部および前記検出領域を同時に陽極酸化を行うことで前記導電性半導体層に前記凹部を形成する工程からなり、(d)前記電流・電圧特性に基づき前記検出領域での陽極酸化の終了を検知し、(e)前記終了の時点における電流・電圧特性の値に基づいて定められる電流・電圧特性の値まで変化した時点で陽極酸化を終了することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/306 , H01L 21/316 , H01L 29/48

FI (2件)：

H01L 29/80 F , H01L 29/80 B

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