特許

J-GLOBAL ID：200903049476939954

窒化珪素焼結体の製造方法

発明者： 野田 克敏 ,  佐治他三郎
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  富士電波工業株式会社
代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-091560
公開番号（公開出願番号）：特開平7-291736
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月07日
要約：

【要約】【目的】窒化珪素焼結体の強度と靱性の両方を向上させる。【構成】αーSi3 N4 を20体積%以上含みかつ相対密度が98%以上の窒化珪素焼結体1をマルチモードのマイクロ波キャビティー内に配設された金属製筒状体10内に位置させ筒状体10の軸方向に相対移動させながらマイクロ波を照射して1500°C以上で熱処理しαーβ転移によりβーSi3 N4 柱状晶を一定方向に一次元配向させて析出させる第1熱処理工程と、第1熱処理工程後の窒化珪素焼結体を1500°C以上に保持し析出したβーSi3 N4 柱状晶を粒成長させる第2熱処理工程と、を順に行うことを特徴とする。マイクロ波は筒状体10内で減衰するため、焼結体1の軸方向に温度勾配が生じる。

請求項（抜粋）：

α-Si3 N4 を20体積%以上含みかつ相対密度が98%以上の窒化珪素焼結体を準備する工程と、前記窒化珪素焼結体をマルチモードのマイクロ波キャビティー内に配設された金属製筒状体内に位置させ該筒状体の軸方向に相対移動させながらマイクロ波を照射して1500°C以上で熱処理し、α-β転移によりβ-Si3 N4 柱状晶を一定方向に一次元配向させて析出させる第1熱処理工程と、前記第1熱処理工程後の前記窒化珪素焼結体を1500°C以上に保持し、析出した前記β-Si3 N4 柱状晶を粒成長させる第2熱処理工程と、を順に行うことを特徴とする高強度及び高靱性を有する窒化珪素焼結体の製造方法。