特許

J-GLOBAL ID：200903049482939818

半導体装置の製造方法および半導体製造装置

発明者： 稲葉 正俊 ,  定方 伸行
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-204045
公開番号（公開出願番号）：特開2004-043904
出願日： 2002年07月12日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】ウエハ表面にめっきにより形成される導電膜の厚さを均一にする半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。【解決手段】ウエハ上に導電膜を形成する導電膜形成工程が、回転盤上に固定されたウエハ上にめっき液を供給する第1工程と、該第1工程に続いて行われ、前記めっき液に給電して前記ウエハをめっきする第2工程と、該第2工程に続いて行われ、前記ウエハを回転させて前記ウエハ上のめっき液を振り切る第3工程とを有し、前記第1工程、前記第2工程および前記第3工程を順次繰り返す工程であるか、回転盤上に固定され、回転しているウエハ上にめっき液を供給して前記めっき液中のめっき成分濃度を一定に保持し、前記めっき液に給電して前記ウエハをめっきする工程である半導体装置の製造方法。前記回転盤上に固定されているウエハに対向して、該ウエハと同等以上の大きさのアノードを配置する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

ウエハ上に電解めっきにより導電膜を形成する導電膜形成工程を有する半導体装置の製造方法において、 前記導電膜形成工程は、前記ウエハ上に、めっき液を間欠的または連続的に供給し、該めっき液中のめっき成分濃度を一定に保持する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

C25D7/12 ,  C25D17/06 ,  C25D21/00

FI (3件)：

C25D7/12 ,  C25D17/06 C ,  C25D21/00 G

Fターム (6件)：

4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024CB04 ,  4K024CB09 ,  4K024CB21 ,  4K024GA16