特許

J-GLOBAL ID：200903049483212172

ポリシリコン層形成方法及びこれを用いた薄膜トランジスタの製造方法

発明者： ユン、ソン、ジン ,  イム、ジョン、ウク ,  キム、ヨン、ヘ ,  ソン、チュン、ヨン ,  イ、ジン、ホ
出願人/特許権者： 韓國電子通信研究院
代理人 (6件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  高橋 佳大
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-226675
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197651
出願日： 2004年08月03日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】 熱容量が大きいながらも熱伝導度が小さい特性を有するバッファ層を用いたポリシリコン層形成方法及びこれを用いた薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、ポリシリコン層形成方法及びこれを用いた薄膜トランジスタの製造方法に関する発明である。特に、ウルツ鉱(Wurtzite)酸化亜鉛(ZnO)バッファ層を用いたポリシリコン層形成方法及びこれを用いた薄膜トランジスタの製造方法に関する発明である。本発明は、基板上にウルツ鉱酸化亜鉛(ZnO)膜であるバッファ層を形成するステップと、上記バッファ層上にシリコン層を形成するステップと、上記シリコン層をポリシリコン層に再結晶化するステップと、を含むポリシリコン層形成方法を提供する。望ましくは、ポリシリコン層形成方法は、バッファ層を形成した後、不導体であるバリア層を形成するステップをさらに含む。また、本発明は、これを用いた薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上にウルツ鉱(Wurtzite)酸化亜鉛(ZnO)膜であるバッファ層を形成するステップと、 前記バッファ層上にシリコン層を形成するステップと、 前記シリコン層をポリシリコン層に再結晶化するステップと、 を含むことを特徴とするポリシリコン層形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

FI (3件)：

H01L29/78 627G ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 626C

Fターム (15件)：

5F052AA02 ,  5F052DA02 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG42 ,  5F110PP03

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 米国特許第5,670,798号公報
  
• 結晶シリコン系薄膜半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-244962   出願人：日立電線株式会社
• 多結晶シリコン薄膜積層体、シリコン薄膜太陽電池および薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-334123   出願人：株式会社リコー