特許

J-GLOBAL ID：200903049484404784

ドライブ回路

発明者： 根岸 哲 ,  嵯峨 良平
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-357147
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177388
出願日： 1999年12月16日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 出力段の高電位側にPチャネルMOSFETを使用したドライバ回路において、高速な動作を可能とし且つ消費電流を削減することにある。【解決手段】 第1の電源系の高電位側(VDD)にソースが接続されドレインが出力端子に接続されたPチャネルFET(M1)と、上記第1電源系よりも低い第2の電源系の電源電圧(Va)で動作する出力制御回路(IN1)とを備え、上記出力制御回路(IN1)の出力電圧に基づきPチャネルFET(M1)のゲートを制御するようにしたドライブ回路(1)において、出力制御回路(IN1)の出力端子とPチャネルFET(M1)のゲート端子との間にコンデンサ(C1)が接続され、且つ、コンデンサ(C1)とPチャネルFET(M1)のゲート端子との接続点と第1電源系の電源電圧端子とを接続または遮断する初期設定用のスイッチ(SW)を設けている。

請求項（抜粋）：

第1の電源系の高電位側にソースが接続されドレインが出力端子に接続されたPチャネルFETと、上記第1電源系よりも低い第2の電源系の電源電圧で動作する出力制御回路とを備え、上記出力制御回路の出力電圧に基づき上記FETのゲートを制御するようにしたドライブ回路において、上記出力制御回路の出力端子と上記FETのゲート端子との間にコンデンサが接続されると共に、該出力制御回路の出力振幅が上記FETのゲート・ソース間耐圧よりも低く設定され、且つ、上記コンデンサと上記FETのゲート端子との接続点と上記第1電源系の電源電圧端子とを接続または遮断する初期設定用のスイッチ手段が設けられていることを特徴とするドライブ回路。

IPC (2件)：

H03K 17/04 ,  H03K 19/0175

FI (2件)：

H03K 17/04 E ,  H03K 19/00 101 F

Fターム (40件)：

5J055AX02 ,  5J055AX12 ,  5J055AX27 ,  5J055AX57 ,  5J055BX16 ,  5J055CX10 ,  5J055CX20 ,  5J055DX13 ,  5J055DX14 ,  5J055DX22 ,  5J055DX56 ,  5J055EY10 ,  5J055EY12 ,  5J055EY13 ,  5J055EY21 ,  5J055EY24 ,  5J055EZ07 ,  5J055EZ54 ,  5J055EZ55 ,  5J055EZ61 ,  5J055GX01 ,  5J055GX04 ,  5J056AA05 ,  5J056BB02 ,  5J056BB17 ,  5J056BB19 ,  5J056CC29 ,  5J056CC30 ,  5J056DD13 ,  5J056DD17 ,  5J056DD28 ,  5J056DD29 ,  5J056DD51 ,  5J056DD55 ,  5J056DD56 ,  5J056EE11 ,  5J056FF07 ,  5J056FF08 ,  5J056GG06 ,  5J056KK01