特許
J-GLOBAL ID：200903049486357201
カンチレバー型近接場探針構造体及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-378260
公開番号（公開出願番号）：特開2004-144730
出願日： 2002年12月26日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】光スループットを容易に向上させることができ、かつ、光情報格納装置のヘッドに適用可能な、カンチレバー型近接場探針構造体及びその作製方法を提供すること。【解決手段】基板を貫通するホール11を有するシリコン基板10の表面側に、ホール11の中心を軸として上に凸の放物線形状を有するシリコン酸化膜40を設け、このシリコン酸化膜40の外側表面上に金属薄膜70を形成してカンチレバー型近接場探針構造体を構成している。シリコン酸化膜40の放物線形状の先端部分には、シリコンナイトライド円形薄膜30の近くに位置するシリコン基板10の探針先端近傍領域と、シリコンナイトライド円形薄膜30から比較的遠くに位置する領域との間に生じる酸化膜成長速度の差に起因するバーズビーク効果を利用したアパーチャが形成されており、このアパーチャの上に金属薄膜70の高スループットの近接場アパーチャが形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板を貫通するホールを有するシリコン基板と、
当該シリコン基板の裏面側にマスク層として設けられた誘電体薄膜と、
前記シリコン基板の表面側に設けられ、前記ホールの中心を軸とし上に凸の放物線形状を有する酸化膜と、
当該酸化膜の外側表面上に形成された金属薄膜とを備え、
前記酸化膜の放物線形状の先端部分には、前記シリコン基板を貫通するホールと通じるアパーチャが形成されており、
前記金属薄膜は、前記アパーチャと通じる近接場アパーチャを構成していることを特徴とするカンチレバー型近接場探針構造体。
IPC (3件)：
G01N13/14
, G11B7/135
, G11B7/22
G01N13/14 B
, G11B7/135 A
, G11B7/22
, G12B1/00 601C
5D789AA22
, 5D789CA22
, 5D789JA66
