特許

J-GLOBAL ID：200903049494974643

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 山川 裕之 ,  前田 幸宏 ,  鈴木 俊夫
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-095916
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297730
出願日： 1998年04月08日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 配線基板上の半導体素子及びボンディングワイヤを覆った状態で封止するためのシリコーン系樹脂中に気泡が残った状態になることを未然に防止し、その気泡に起因した不具合の発生を効果的に防止すること。【解決手段】 樹脂封止型半導体装置8は、セラミック基板2上にICチップ1をダイボンディングすると共に、このICチップ1及びボンディングワイヤ5を被覆するようにして封止用の熱硬化型シリコーンゴム7を設けた構成となっている。樹脂封止型半導体装置8の製造時には、熱硬化型シリコーンゴム7を硬化させるためのキュア工程に先立って、ICチップ1及びボンディングワイヤ5を被覆した状態となるように熱硬化型シリコーンゴム7を塗布した後に、そのセラミック基板2を減圧雰囲気内に所定時間だけ放置することによって、上記シリコーンゴム7内の気泡を離脱させるという脱泡工程が行われる。

請求項（抜粋）：

配線基板上にダイボンディングされた半導体素子を、当該半導体素子及び配線基板間を接続したボンディングワイヤと共にシリコーン系樹脂により封止して構成される半導体装置の製造方法において、前記半導体素子を前記配線基板上にダイボンディングした後に、当該半導体素子及び配線基板間をボンディングワイヤにより接続する実装工程と、前記半導体素子及びボンディングワイヤをシリコーン系樹脂により被覆した後に減圧雰囲気内に所定時間放置することによって上記シリコーン系樹脂内の気泡を離脱させる脱泡工程と、前記シリコーン系樹脂を硬化させるキュア工程とを順次実行することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/56 ,  H01L 21/50 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (5件)：

H01L 21/56 R ,  H01L 21/50 B ,  H01L 21/50 G ,  H01L 21/60 301 A ,  H01L 23/30 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電子部品を樹脂封止する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-222569   出願人：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
• 特開平1-256133
  
• 特開平2-010328