特許

J-GLOBAL ID：200903049496265267

ワンチップ型イオン濃度測定装置

発明者： 冨田 勝彦 ,  石田 誠
出願人/特許権者： 株式会社堀場製作所
代理人 (1件)： 藤本 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-242238
公開番号（公開出願番号）：特開2001-066276
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 SOI基板の特長を最大限に活用した、より小型で高性能なワンチップ型イオン濃度測定装置を提供すること。【解決手段】 SOI基板2にイオンセンサ部11を形成したワンチップ型イオン濃度測定装置において、前記SOI基板2のシリコン基板部3内に、マイクロマシン加工技術を用いて、液流路19および比較電極機能部15を形成した。

請求項（抜粋）：

SOI基板にイオンセンサ部を形成したワンチップ型イオン濃度測定装置において、前記SOI基板のシリコン基板部内に、マイクロマシン加工技術を用いて、液流路および比較電極機能部を形成したことを特徴とするワンチップ型イオン濃度測定装置。

IPC (2件)：

G01N 27/28 331 ,  G01N 27/414

FI (3件)：

G01N 27/28 331 A ,  G01N 27/30 301 W ,  G01N 27/30 301 U