半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-170604
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037301
出願日： 1994年07月22日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】チタンシリサイド膜を含んでなるサリサイド構造のMOSトランジスタにおいて、ゲート電極の抵抗率の上昇を抑制し,ゲート電極およびソース・ドレイン領域の間のブリッジング現象を抑制することができる半導体装置の構造と、その製造方法とを提供する。【構成】ゲート電極113aは多結晶シリコン膜パターン103aとチタンシリサイド膜108aaとからなり、両者の接触幅はゲート長より広い。スペーサは、上端がゲート電極113aの上面より低い酸化シリコン膜スペーサ114aと、上端がゲート電極113aの上面より高い窒化シリコン膜スペーサ115aとからなる。

請求項（抜粋）：

一導電型のシリコン基板の表面に設けられたゲート酸化膜と、該ゲート酸化膜を介して該シリコン基板の表面上に設けられた所定導電型の多結晶シリコン膜パターンおよび該多結晶シリコン膜パターンの表面に設けられた第1のチタンシリサイド膜からなるゲート電極と、該ゲート電極の側面に設けられた絶縁膜スペーサと、該シリコン基板の表面に設けらてた逆導電型の拡散層および該絶縁膜スペーサ直下を除いた該拡散層の表面に設けられた第2のチタンシリサイド膜からなるソース・ドレイン領域とを有することと、前記多結晶シリコン膜パターンと前記第1のチタンシリサイド膜との前記ゲート電極のゲート長方向に沿って接触する長さが、該ゲート長より長いことと、前記絶縁膜スペーサの上端が、前記ゲート電極の上面より高いこととを併せて特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 21/318 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/88 Q , H01L 29/78 301 S

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