特許
J-GLOBAL ID：200903049497441999
サブマウントおよびそれを備えた半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
稲岡 耕作
, 川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-006254
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221273
出願日： 2003年01月14日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】保護ダイオードを内蔵したサブマウントおよびそれを備えた半導体装置を提供する。【解決手段】サブマウント4は、導電型がP型のシリコン基板6を備えており、シリコン基板6の一方表面には導電型がP型のエピタキシャル層7が形成されている。エピタキシャル層7の表面から一定の深さにかけて、導電型がN+型である第1拡散層8、および導電型がP+型である第2拡散層10が形成されている。第2拡散層10は、第1拡散層8と離隔して形成されている。第1拡散層8上には、N側電極21およびP側電極22を有するレーザダイオード5が接合されている。N側電極21は第2拡散層10に接続されており、P側電極22は第1拡散層8に接続されている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
シリコン、炭化珪素、およびダイヤモンドのいずれかからなる第1導電型の半導体基板と、
この半導体基板の一方表面に形成された上記第1導電型のエピタキシャル層と、
上記エピタキシャル層の表面近傍で半導体チップの接合域に形成され、上記第1導電型とは異なる第2導電型の第1拡散層とを含むことを特徴とするサブマウント。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
5F047AA19
, 5F047BA05
, 5F047CA08
, 5F073EA27
, 5F073FA02
, 5F073FA13
, 5F073FA15
, 5F073FA18
, 5F073FA27
