特許
J-GLOBAL ID：200903049499290661
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-272177
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116930
出願日： 1996年10月15日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の電極端子と配線パターンとの接続部の信頼性を向上させ、半導体装置の製造を容易にする。【解決手段】 半導体チップ10の電極端子8が形成された面に、一端が外部接続端子14に接続され他端が前記電極端子8に電気的に接続される配線パターン18が電気的絶縁性フィルム17に支持されて形成された配線パターンフィルム16が、電気的絶縁性を有する接着層を介して接着された半導体装置において、前記接着層が、電気的絶縁性および緩衝性を有する母材中に、前記電極端子8と前記配線パターン18の他端側とを電気的に接続する導電部32を前記電極端子8の平面配置と同一配置で設けたエラストマー層30によって形成されたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体チップの電極端子が形成された面に、一端が外部接続端子に接続され他端が前記電極端子に電気的に接続される配線パターンが電気的絶縁性フィルムに支持されて形成された配線パターンフィルムが、電気的絶縁性を有する接着層を介して接着された半導体装置において、前記接着層が、電気的絶縁性および緩衝性を有する母材中に、前記電極端子と前記配線パターンの他端側とを電気的に接続する導電部を前記電極端子の平面配置と同一配置で設けたエラストマー層によって形成されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/12
, H01L 21/60 311
H01L 23/12 L
, H01L 21/60 311 S
