特許

J-GLOBAL ID：200903049501047320

半導体記憶装置

発明者： 間野 良隆 ,  車田 希総 ,  山崎 裕之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-272268
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130167
出願日： 1993年10月29日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 より低電源電圧で動作するセルフリフレッシュ機能を実現する。【構成】 通常動作時には、ワード線駆動回路4とセンスアンプ駆動信号発生回路8の間に挿入した遅延切替え回路15の遅延量を遅延量T1に設定してあり、セルフリフレッシュ動作時に、セルフリフレッシュ検知信号Sにより遅延切替え回路15の遅延量を、遅延量T1より大きい遅延量T2に切替えることにより、ワード線駆動とセンスアンプ駆動のタイミング遅延量を広げる。また、通常動作時には、行アドレスバッファ2とワード線駆動回路4の間に挿入した遅延切替え回路16の遅延量を遅延量T3に設定してあり、セルフリフレッシュ動作時に、セルフリフレッシュ検知信号Sにより遅延切替え回路16の遅延量を、遅延量T3より大きい遅延量T4に切替えることにより、行アドレスのデコード動作とワード線駆動のタイミング遅延量を広げる。

請求項（抜粋）：

ワード線電位を発生するためのワード線駆動回路と、センスアンプ駆動信号を発生するためのセンスアンプ駆動信号発生回路とを備え、セルフリフレッシュ機能を搭載した半導体記憶装置であって、外部から印加される行アドレスストローブ信号と列アドレスストローブ信号の電圧変化のタイミングを検出してセルフリフレッシュ要求を受け付けたときにリフレッシュ仕様を満たす周期を持つ信号を生成し、この信号から内部RAS信号を発生するとともに、外部から印加される前記行アドレスストローブ信号によってセルフリフレッシュモードのリセットを行うときに前記リフレッシュ仕様を満たす周期を持つ信号のタイミングでリセットするための制御信号を発生するセルフリフレッシュ信号駆動回路と、前記内部RAS信号と前記制御信号に基づいてセルフリフレッシュ検知信号を発生するセルフリフレッシュ検知信号発生回路とを設けるとともに、前記ワード線駆動回路と前記センスアンプ駆動信号発生回路の間に、第1の遅延量とこの第1の遅延量より大きい第2の遅延量とを選択的に切替え可能な遅延切替え回路を挿入し、前記遅延切替え回路は前記セルフリフレッシュ検知信号によって第1の遅延量から第2の遅延量に切替えるようにしたことを特徴とする半導体記憶装置。