特許
J-GLOBAL ID：200903049503325297
電界放出陰極の製造方法及び電界放出陰極
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-071167
公開番号（公開出願番号）：特開2000-268711
出願日： 1999年03月17日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 AlNの超微粒子粉末を用いることなく、エミッタ電極部にナノメートルオーダーの突起を有する電界放出陰極を形成する。【解決手段】電界放出型において、電界放出陰極にアルカリエッチング処理をした窒化アルミニウムを使用する。アルカリエッチングにより、一般の原料粉末である1μm以上のAlN粉末表面にもナノメートルオーダーの微細突起を形成することが出来る。AlN下地として非晶質或いは格子面の指数の絶対値の合計が3以上であるようにしたものを使用し、AlN層をエッチングする。
請求項（抜粋）：
窒化アルミニウム粒子をエミッタ電極表面に分散させる工程と、前記窒化アルミニウム粒子の露出部をアルカリエッチングする工程とを有することを特徴とする電界放出陰極の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 F
