特許
J-GLOBAL ID：200903049503481434
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-055222
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256573
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 高温下においても高いショットキ障壁が安定に得られるショットキ電極を備えた半導体装置を提供することである。【解決手段】 SiCからなるn型エピタキシャル層2上に第1の電極層3を介して第2の電極層4を形成する。第1の電極層3および第2の電極層4がショットキ電極5を構成する。第1の電極層3は高温下でもSiCと反応しないAuからなり、厚さ10〜50Åを有する。第2の電極層4は大きな仕事関数を有するPtからなる。ショットキ障壁の高さは第2の電極層4のPtの仕事関数により定まる。
請求項（抜粋）：
n型炭化ケイ素上に第1の金属からなる第1の電極層を介して第2の金属からなる第2の電極層が形成され、前記第1の金属は前記第2の金属よりも前記炭化ケイ素に対する反応性が低く、前記第2の金属は前記第1の金属よりも大きな仕事関数を有することを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/48 F
, H01L 29/48 M
